ON SEMICONDUCTOR NTJD4105CT1G Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 20/-8В; 630/-755мА; 270мВт; SC88
Вид упаковки |
бобина
лента |
Заряд затвора | 3/4нC |
Корпус | SC88 |
Монтаж | SMD |
Мощность | 0.27Вт |
Напряжение затвор-исток | ±12/±8В |
Напряжение сток-исток | 20/-8В |
Обозначение производителя | NTJD4105CT1G |
Полярность | полевой |
Производитель | ON SEMICONDUCTOR |
Сопротивление в открытом состоянии | 445/900мОм |
Тип транзистора | N/P-MOSFET |
Ток стока | 0.63/-0.755А |
Масса брутто | 0.01 g |
Срок поставки | Уточняйте radioniks.ru@mail.ru |
Контакты