Infineon (IRF) IRF8910TRPBF Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 10А; 2Вт; SO8; HEXFET®
Вид упаковки | бобина |
Корпус | SO8 |
Монтаж | SMD |
Мощность | 2Вт |
Напряжение сток-исток | 20В |
Обозначение производителя | IRF8910TRPBF |
Полярность | полевой |
Производитель | Infineon (IRF) |
Технология | HEXFET® |
Тип транзистора | N-MOSFET x2 |
Ток стока | 10А |
Масса брутто | 0.43 g |
Срок поставки | Уточняйте radioniks.ru@mail.ru |
Контакты