Infineon (IRF) IRF7506TRPBF Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -30В; -1,7А; 1,25Вт; SO8; HEXFET®

Вид упаковки бобина
Корпус SO8
Монтаж SMD
Мощность 1.25Вт
Напряжение сток-исток -30В
Обозначение производителя IRF7506TRPBF
Полярность полевой
Производитель Infineon (IRF)
Технология HEXFET®
Тип транзистора P-MOSFET x2
Ток стока -1.7А
Масса брутто0.43 g
Срок поставкиУточняйте radioniks.ru@mail.ru
Условия поставки уточняйте: radioniks.ru@mail.ru