Infineon (IRF) IRF7501TRPBF Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 2,4А; 1,2Вт; SO8; HEXFET®

Вид упаковки бобина
Корпус SO8
Монтаж SMD
Мощность 1.2Вт
Напряжение сток-исток 20В
Обозначение производителя IRF7501TRPBF
Полярность полевой
Производитель Infineon (IRF)
Технология HEXFET®
Тип транзистора N-MOSFET x2
Ток стока 2.4А
Масса брутто0.43 g
Срок поставкиУточняйте radioniks.ru@mail.ru
Условия поставки уточняйте: radioniks.ru@mail.ru