Infineon (IRF) IRF7351PBF Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 8А; 2Вт; SO8; HEXFET®
| Заряд затвора | 24нC |
| Корпус | SO8 |
| Монтаж | SMD |
| Мощность | 2Вт |
| Напряжение затвор-исток | ±20В |
| Напряжение сток-исток | 60В |
| Обозначение производителя | IRF7351PBF |
| Полярность | полевой |
| Производитель | Infineon (IRF) |
| Сопротивление в открытом состоянии | 17.8мОм |
| Технология | HEXFET® |
| Тип транзистора | N-MOSFET x2 |
| Ток стока | 8А |
| Масса брутто | 0.08 g |
| Срок поставки | Уточняйте radioniks.ru@mail.ru |
Контакты