Infineon (IRF) IRF7101PBF Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 3,5А; 2Вт; SO8; HEXFET®
| Заряд затвора | 10нC |
| Корпус | SO8 |
| Монтаж | SMD |
| Мощность | 2Вт |
| Напряжение затвор-исток | ±12В |
| Напряжение сток-исток | 20В |
| Обозначение производителя | IRF7101PBF |
| Полярность | полевой |
| Производитель | Infineon (IRF) |
| Сопротивление в открытом состоянии | 100/250мОм |
| Технология | HEXFET® |
| Тип транзистора | N-MOSFET x2 |
| Ток стока | 3.5А |
| Масса брутто | 0.08 g |
| Срок поставки | Уточняйте radioniks.ru@mail.ru |
Контакты