DIODES INCORPORATED DMG6602SVT-7 Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 30/-30В; 2,8/-3,4А; 1,112Вт
| Вид упаковки |
бобина
лента |
| Корпус | TSOT26 |
| Монтаж | SMD |
| Мощность | 1.112Вт |
| Напряжение затвор-исток | ±20В |
| Напряжение сток-исток | 30/-30В |
| Обозначение производителя | DMG6602SVT-7 |
| Полярность | полевой |
| Производитель | DIODES INCORPORATED |
| Сопротивление в открытом состоянии | 60/95мОм |
| Тип транзистора | N/P-MOSFET |
| Ток стока | 2.8/-3.4А |
| Масса брутто | 0.02 g |
| Срок поставки | Уточняйте radioniks.ru@mail.ru |
Контакты