Infineon (IRF) AUIRF7379QTR Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 30/-30В; 5,8/-4,3А; 2,5Вт; SO8
| Заряд затвора | 16.7нC |
| Корпус | SO8 |
| Монтаж | SMD |
| Мощность | 2.5Вт |
| Напряжение затвор-исток | ±20В |
| Напряжение сток-исток | 30/-30В |
| Обозначение производителя | AUIRF7379QTR |
| Полярность | полевой |
| Производитель | Infineon (IRF) |
| Сопротивление в открытом состоянии | 38/70мОм |
| Технология | HEXFET® |
| Тип транзистора | N/P-MOSFET |
| Ток стока | 5.8/-4.3А |
| Масса брутто | 0.33 g |
| Срок поставки | Уточняйте radioniks.ru@mail.ru |
Контакты