IXYS IXTN32P60P Модуль; одиночный транзистор; Uds: -600В; Id: -32А; SOT227B; 890Вт
| Импульсный ток | -128А |
| Конструкция диода | одиночный транзистор |
| Корпус | SOT227B |
| Монтаж | винтами |
| Мощность | 890Вт |
| Напряжение затвор-исток | ±20В |
| Напряжение сток-исток | -600В |
| Обозначение производителя | IXTN32P60P |
| Полярность | полевой |
| Производитель | IXYS |
| Рабочая температура | -55...150°C |
| Сопротивление в открытом состоянии | 350мОм |
| Тип модуля | транзисторный |
| Ток стока | -32А |
| Электрический монтаж | винтами |
| Масса брутто | 0.04 kg |
| Срок поставки | Уточняйте radioniks.ru@mail.ru |
Контакты