IXYS IXTN210P10T Модуль; одиночный транзистор; Uds: -100В; Id: -210А; SOT227B; 830Вт
| Импульсный ток | -840А |
| Конструкция диода | одиночный транзистор |
| Корпус | SOT227B |
| Монтаж | винтами |
| Мощность | 830Вт |
| Напряжение затвор-исток | ±15В |
| Напряжение сток-исток | -100В |
| Обозначение производителя | IXTN210P10T |
| Полярность | полевой |
| Производитель | IXYS |
| Рабочая температура | -55...150°C |
| Сопротивление в открытом состоянии | 7.5мОм |
| Тип модуля | транзисторный |
| Ток стока | -210А |
| Электрический монтаж | винтами |
| Масса брутто | 0.03 kg |
| Срок поставки | Уточняйте radioniks.ru@mail.ru |
Контакты