IXYS IXFN55N50 Модуль; одиночный транзистор; Uds:500В; Id:55А; SOT227B; 625Вт
| Импульсный ток | 220А |
| Конструкция диода | одиночный транзистор |
| Корпус | SOT227B |
| Монтаж | винтами |
| Мощность | 625Вт |
| Напряжение затвор-исток | ±20В |
| Напряжение сток-исток | 500В |
| Обозначение производителя | IXFN55N50 |
| Полярность | полевой |
| Производитель | IXYS |
| Рабочая температура | -55...150°C |
| Сопротивление в открытом состоянии | 80мОм |
| Технология | HiPerFET™ |
| Тип модуля | транзисторный |
| Ток стока | 55А |
| Электрический монтаж | винтами |
| Масса брутто | 0.04 kg |
| Срок поставки | Уточняйте radioniks.ru@mail.ru |
Контакты