IXYS IXFN50N120SIC Модуль; одиночный транзистор; Uds:1,2кВ; 35А; SOT227B; Ugs: ±20В
| Конструкция диода | одиночный транзистор |
| Корпус | SOT227B |
| Монтаж | винтами |
| Напряжение затвор-исток | ±20В |
| Напряжение сток-исток | 1.2кВ |
| Обозначение производителя | IXFN50N120SIC |
| Полярность | полевой |
| Производитель | IXYS |
| Рабочая температура | -40...150°C |
| Сопротивление в открытом состоянии | 50мОм |
| Технология | HiPerFET™ |
| Тип модуля | транзисторный |
| Ток стока | 35А |
| Электрический монтаж | винтами |
| Масса брутто | 0.04 kg |
| Срок поставки | Уточняйте radioniks.ru@mail.ru |
Контакты