ON SEMICONDUCTOR (FAIRCHILD) HGT1S10N120BNST Транзистор: IGBT; 1200В; 17А; 298Вт; D2PAK

Вид упаковки бобина
лента
Корпус D2PAK
Монтаж SMD
Мощность 298Вт
Напряжение коллектор-эмиттер 1200В
Обозначение производителя HGT1S10N120BNST
Производитель ON SEMICONDUCTOR (FAIRCHILD)
Тип транзистора IGBT
Ток коллектора 17А
Масса брутто1.5 g
Срок поставкиУточняйте radioniks.ru@mail.ru
Условия поставки уточняйте: radioniks.ru@mail.ru