SEMIKRON SKM75GB17E4 Полумост IGBT; Urmax:1,7кВ; Ic:75А; Ifsm:510А; SEMITRANS2
| Импульсный ток | 510А |
| Конструкция диода | транзистор/транзистор |
| Корпус | SEMITRANS2 |
| Монтаж | винтами |
| Напряжение затвор - эмиттер | ±20В |
| Обозначение производителя | SKM75GB17E4 |
| Обратное напряжение макс. | 1.7кВ |
| Производитель | SEMIKRON |
| Рабочая температура | -40...150°C |
| Тип модуля | IGBT |
| Ток коллектора | 75А |
| Топология | полумост IGBT |
| Электрический монтаж | винтами |
| Масса брутто | 0.16 kg |
| Срок поставки | Уточняйте radioniks.ru@mail.ru |
Контакты