SEMIKRON SKM50GB12T4 Полумост IGBT; Urmax:1,2кВ; Ic:50А; Ifsm:150А; SEMITRANS2; V: D61
| Версия | D61 |
| Импульсный ток | 150А |
| Конструкция диода | транзистор/транзистор |
| Корпус | SEMITRANS2 |
| Монтаж | винтами |
| Напряжение затвор - эмиттер | ±20В |
| Обозначение производителя | SKM50GB12T4 |
| Обратное напряжение макс. | 1.2кВ |
| Производитель | SEMIKRON |
| Рабочая температура | -40...125°C |
| Тип модуля | IGBT |
| Ток коллектора | 50А |
| Топология | полумост IGBT |
| Электрический монтаж | винтами |
| Масса брутто | 0.15 kg |
| Срок поставки | Уточняйте radioniks.ru@mail.ru |
Контакты