SEMIKRON SKM200GB12T4 Полумост IGBT; Urmax:1,2кВ; Ic:241А; Ifsm:600А; SEMITRANS3; V: D56
| Версия | D56 |
| Импульсный ток | 600А |
| Конструкция диода | транзистор/транзистор |
| Корпус | SEMITRANS3 |
| Монтаж | винтами |
| Напряжение затвор - эмиттер | ±20В |
| Обозначение производителя | SKM200GB12T4 |
| Обратное напряжение макс. | 1.2кВ |
| Производитель | SEMIKRON |
| Рабочая температура | -40...125°C |
| Тип модуля | IGBT |
| Ток коллектора | 241А |
| Топология | полумост IGBT |
| Электрический монтаж | винтами |
| Масса брутто | 0.36 kg |
| Срок поставки | Уточняйте radioniks.ru@mail.ru |
Контакты