SEMIKRON SKM100GB12T4 Полумост IGBT; Urmax:1,2кВ; Ic:100А; Ifsm:300А; SEMITRANS2
| Импульсный ток | 300А |
| Конструкция диода | транзистор/транзистор |
| Корпус | SEMITRANS2 |
| Монтаж | винтами |
| Напряжение затвор - эмиттер | ±20В |
| Обозначение производителя | SKM100GB12T4 |
| Обратное напряжение макс. | 1.2кВ |
| Производитель | SEMIKRON |
| Рабочая температура | -40...125°C |
| Тип модуля | IGBT |
| Ток коллектора | 100А |
| Топология | полумост IGBT |
| Электрический монтаж | винтами |
| Масса брутто | 0.15 kg |
| Срок поставки | Уточняйте radioniks.ru@mail.ru |
Контакты