SEMIKRON SKM 400GB125D Полумост IGBT; Urmax:1,2кВ; Ic:300А; Ifsm:600А; SEMITRANS3; V: D56

Версия D56
Импульсный ток 600А
Конструкция диода транзистор/транзистор
Корпус SEMITRANS3
Монтаж винтами
Напряжение затвор - эмиттер ±20В
Обозначение производителя SKM 400GB125D
Обратное напряжение макс. 1.2кВ
Производитель SEMIKRON
Рабочая температура -40...125°C
Тип модуля IGBT
Ток коллектора 300А
Топология полумост IGBT
Электрический монтаж винтами
Масса брутто0.33 kg
Срок поставкиУточняйте radioniks.ru@mail.ru