SEMIKRON SKM 100GB125DN Полумост IGBT; Urmax:1,2кВ; Ic:80А; Ifsm:150А; SEMITRANS2N; V: D93
| Версия | D93 |
| Импульсный ток | 150А |
| Конструкция диода | транзистор/транзистор |
| Корпус | SEMITRANS2N |
| Монтаж | винтами |
| Напряжение затвор - эмиттер | ±20В |
| Обозначение производителя | SKM 100GB125DN |
| Обратное напряжение макс. | 1.2кВ |
| Производитель | SEMIKRON |
| Рабочая температура | -40...125°C |
| Тип модуля | IGBT |
| Ток коллектора | 80А |
| Топология | полумост IGBT |
| Электрический монтаж | винтами |
| Масса брутто | 0.17 kg |
| Срок поставки | Уточняйте radioniks.ru@mail.ru |
Контакты