LITTELFUSE MG12200D-BA1MM Полумост IGBT; Urmax:1,2кВ; Ic:210А; P:1,4кВт; Ifsm:420А; винтами
| Импульсный ток | 420А |
| Конструкция диода | транзистор/транзистор |
| Корпус | package D |
| Монтаж | винтами |
| Мощность | 1.4кВт |
| Напряжение затвор - эмиттер | ±20В |
| Обозначение производителя | MG12200D-BA1MM |
| Обратное напряжение макс. | 1.2кВ |
| Производитель | LITTELFUSE |
| Рабочая температура | -40...150°C |
| Тип модуля | IGBT |
| Ток коллектора | 210А |
| Топология | полумост IGBT |
| Электрический монтаж | винтами |
| Масса брутто | 0.41 kg |
| Срок поставки | Уточняйте radioniks.ru@mail.ru |
Контакты