LITTELFUSE MG12150D-BA1MM Полумост IGBT; Urmax:1,2кВ; Ic:150А; P:1,1кВт; Ifsm:300А; винтами
| Импульсный ток | 300А |
| Конструкция диода | транзистор/транзистор |
| Корпус | package D |
| Монтаж | винтами |
| Мощность | 1.1кВт |
| Напряжение затвор - эмиттер | ±20В |
| Обозначение производителя | MG12150D-BA1MM |
| Обратное напряжение макс. | 1.2кВ |
| Производитель | LITTELFUSE |
| Рабочая температура | -40...150°C |
| Тип модуля | IGBT |
| Ток коллектора | 150А |
| Топология | полумост IGBT |
| Электрический монтаж | винтами |
| Масса брутто | 0.35 kg |
| Срок поставки | Уточняйте radioniks.ru@mail.ru |
Контакты