IXYS IXGN200N60B3 Одиночный транзистор; Urmax:600В; Ic:200А; P:830Вт; Ifsm:1,2кА
| Импульсный ток | 1.2кА |
| Конструкция диода | одиночный транзистор |
| Корпус | SOT227B |
| Монтаж | винтами |
| Мощность | 830Вт |
| Напряжение затвор - эмиттер | ±20В |
| Обозначение производителя | IXGN200N60B3 |
| Обратное напряжение макс. | 600В |
| Производитель | IXYS |
| Рабочая температура | -55...150°C |
| Тип модуля | IGBT |
| Ток коллектора | 200А |
| Топология | одиночный транзистор |
| Электрический монтаж | винтами |
| Масса брутто | 0.02 kg |
| Срок поставки | Уточняйте radioniks.ru@mail.ru |
Контакты