INFINEON TECHNOLOGIES FF200R12KT4HOSA1 Полумост IGBT; Urmax:1,2кВ; Ic:200А; P:1,1кВт; Ifsm:400А; винтами
| Импульсный ток | 400А |
| Конструкция диода | транзистор/транзистор |
| Корпус | AG-62MM-1 |
| Монтаж | винтами |
| Мощность | 1.1кВт |
| Напряжение затвор - эмиттер | ±20В |
| Обозначение производителя | FF200R12KT4HOSA1 |
| Обратное напряжение макс. | 1.2кВ |
| Производитель | INFINEON TECHNOLOGIES |
| Рабочая температура | -40...150°C |
| Тип модуля | IGBT |
| Ток коллектора | 200А |
| Топология | полумост IGBT |
| Электрический монтаж |
винтами
под пайку |
| Масса брутто | 0.34 kg |
| Срок поставки | Уточняйте radioniks.ru@mail.ru |
Контакты