INFINEON TECHNOLOGIES FF200R12KE3HOSA1 Полумост IGBT; Urmax:1,2кВ; Ic:200А; P:1,05кВт; Ifsm:400А

Импульсный ток 400А
Конструкция диода транзистор/транзистор
Корпус AG-62MM-1
Монтаж винтами
Мощность 1.05кВт
Напряжение затвор - эмиттер ±20В
Обозначение производителя FF200R12KE3HOSA1
Обратное напряжение макс. 1.2кВ
Производитель INFINEON TECHNOLOGIES
Рабочая температура -40...125°C
Тип модуля IGBT
Ток коллектора 200А
Топология полумост IGBT
Электрический монтаж винтами
Масса брутто0.33 kg
Срок поставкиУточняйте radioniks.ru@mail.ru
Условия поставки уточняйте: radioniks.ru@mail.ru