ON SEMICONDUCTOR MMUN2233LT1G Транзистор: NPN; биполярный; BRT; 50В; 0,1А; 246мВт; SOT23; R2:47кОм

Вид транзистора BRT
Вид упаковки бобина
лента
Корпус SOT23
Монтаж SMD
Напряжение коллектор-эмиттер 50В
Обозначение производителя MMUN2233LT1G
Полярность биполярный
Потери мощности 246мВт
Производитель ON SEMICONDUCTOR
резистор базы 4.7кОм
резистор эмиттер - база 47кОм
Тип транзистора NPN
Ток коллектора 0.1А
Масса брутто0.01 g
Срок поставкиУточняйте radioniks.ru@mail.ru
Условия поставки уточняйте: radioniks.ru@mail.ru