ON SEMICONDUCTOR MMBT5551LT1G Транзистор: NPN; биполярный; 160В; 0,6А; 350мВт; SOT23

Вид упаковки бобина
лента
Корпус SOT23
Монтаж SMD
Напряжение коллектор-эмиттер 160В
Обозначение производителя MMBT5551LT1G
Полярность биполярный
Потери мощности 350мВт
Производитель ON SEMICONDUCTOR
Тип транзистора NPN
Ток коллектора 0.6А
Масса брутто0.03 g
Срок поставкиУточняйте radioniks.ru@mail.ru
Условия поставки уточняйте: radioniks.ru@mail.ru