ON SEMICONDUCTOR DTC123JET1G Транзистор: NPN; биполярный; BRT; 50В; 0,1А; 200мВт; SC75; R1:2,2кОм

Вид транзистора BRT
Вид упаковки бобина
лента
Корпус SC75
Монтаж SMD
Напряжение коллектор-эмиттер 50В
Обозначение производителя DTC123JET1G
Полярность биполярный
Потери мощности 200мВт
Производитель ON SEMICONDUCTOR
резистор базы 2.2кОм
резистор эмиттер - база 47кОм
Тип транзистора NPN
Ток коллектора 0.1А
Масса брутто0.03 g
Срок поставкиУточняйте radioniks.ru@mail.ru
Условия поставки уточняйте: radioniks.ru@mail.ru