Диоды
TAIWAN SEMICONDUCTOR 1.5KE9.1A-R0
Диод: защитный; 1,5кВт; 9,1В; 117А; однонаправленная; DO201; ±5%
Условия поставки уточняйте: radioniks.ru@mail.ru
TAIWAN SEMICONDUCTOR 1.5KE9.1CA-R0
Диод: защитный; 1,5кВт; 9,1В; 117А; двунаправленная; DO201; ±5%
Условия поставки уточняйте: radioniks.ru@mail.ru
TAIWAN SEMICONDUCTOR P6KE39A R0
Диод: защитный; 600Вт; 39В; 11,6А; однонаправленная; DO15; ±5%
Условия поставки уточняйте: radioniks.ru@mail.ru
TAIWAN SEMICONDUCTOR P6SMB39A
Диод: защитный; 600Вт; 41В; 11,6А; однонаправленная; DO214AA; ±5%
Условия поставки уточняйте: radioniks.ru@mail.ru

Диод: защитный; 600Вт; 39В; 11,6А; двунаправленная; SMB
Условия поставки уточняйте: radioniks.ru@mail.ru
LITTELFUSE SMDJ160A
Диод: защитный; 3кВт; 187,5В; 11,6А; однонаправленная; DO214AB
Условия поставки уточняйте: radioniks.ru@mail.ru
LITTELFUSE SMDJ160CA
Диод: защитный; 3кВт; 187,5В; 11,6А; двунаправленная; DO214AB; ±5%
Условия поставки уточняйте: radioniks.ru@mail.ru
LITTELFUSE SMDJ36A
Диод: защитный; 3кВт; 42,1В; 51,6А; однонаправленная; DO214AB; ±5%
Условия поставки уточняйте: radioniks.ru@mail.ru
LITTELFUSE SMDJ36CA
Диод: защитный; 3кВт; 42,1В; 51,6А; двунаправленная; DO214AB; ±5%
Условия поставки уточняйте: radioniks.ru@mail.ru
Категории
Вид упаковки
Импульсный ток
Конструкция диода
Корпус
Монтаж
Мощность
Обратное напряжение макс.
Обратный ток
Применение
Производитель
Прямой ток макс.
Прямой ток
Ток стабилизации
Ток утечки
Характеристики полупроводниковых элементов