Диоды
TAIWAN SEMICONDUCTOR 1.5KE9.1A-R0
Диод: защитный; 1,5кВт; 9,1В; 117А; однонаправленная; DO201; ±5%
Условия поставки уточняйте: radioniks.ru@mail.ru
TAIWAN SEMICONDUCTOR 1.5KE9.1CA-R0
Диод: защитный; 1,5кВт; 9,1В; 117А; двунаправленная; DO201; ±5%
Условия поставки уточняйте: radioniks.ru@mail.ru
INFINEON TECHNOLOGIES ND241S14K 
Модуль: диодный; одиночный диод; 1,4кВ; 241А; BG-PB50ND-1; винтами
Условия поставки уточняйте: radioniks.ru@mail.ru
INFINEON TECHNOLOGIES ND242S10K 
Модуль: диодный; одиночный диод; 1кВ; 242А; BG-PB50ND-1; винтами
Условия поставки уточняйте: radioniks.ru@mail.ru
LITTELFUSE P6KE12A-B
Диод: защитный; 600Вт; 12В; 36,5А; однонаправленная; DO15; ±5%
Условия поставки уточняйте: radioniks.ru@mail.ru
LITTELFUSE P6KE12CA-B
Диод: защитный; 600Вт; 12В; 36,5А; двунаправленная; DO15; ±5%
Условия поставки уточняйте: radioniks.ru@mail.ru
LITTELFUSE P6SMB12
Диод: защитный; 600Вт; 12В; 36,5А; однонаправленная; DO214AA
Условия поставки уточняйте: radioniks.ru@mail.ru
LITTELFUSE P6SMB12A
Диод: защитный; 600Вт; 12В; 36,5А; однонаправленная; DO214AA; ±5%
Условия поставки уточняйте: radioniks.ru@mail.ru
LITTELFUSE P6SMB12CA
Диод: защитный; 600Вт; 12В; 36,5А; двунаправленная; DO214AA; ±5%
Условия поставки уточняйте: radioniks.ru@mail.ru
Категории
Вид упаковки
Импульсный ток
Конструкция диода
Корпус
Монтаж
Мощность
Обратное напряжение макс.
Обратный ток
Применение
Производитель
Прямой ток макс.
Прямой ток
Ток стабилизации
Ток утечки
Характеристики полупроводниковых элементов