LITTELFUSE SMDJ51A Диод: защитный; 3кВт; 59,7В; 36,4А; однонаправленная; DO214AB; ±5%
Вид упаковки |
бобина
лента |
Импульсный ток | 36.4А |
Конструкция диода | однонаправленная |
Корпус | DO214AB |
Монтаж | SMD |
Напряжение пробоя | 59.7В |
Обозначение производителя | SMDJ51A |
Обратное напряжение макс. | 51В |
Погрешность | ±5% |
Потери мощности | 3кВт |
Производитель | LITTELFUSE |
Тип диода | защитный |
Ток утечки | 2мкА |
Характеристики полупроводниковых элементов | glass passivated |
Масса брутто | 0.43 g |
Срок поставки | Уточняйте radioniks.ru@mail.ru |
Контакты