TAIWAN SEMICONDUCTOR P6KE82A R0 Диод: защитный; 600Вт; 82В; 5,5А; однонаправленная; DO15; ±5%
Вид упаковки |
бобина
лента |
Импульсный ток | 5.5А |
Конструкция диода | однонаправленная |
Корпус | DO15 |
Монтаж | THT |
Напряжение пробоя | 82В |
Обозначение производителя | P6KE82A R0 |
Обратное напряжение макс. | 70.1В |
Погрешность | ±5% |
Потери мощности | 600Вт |
Производитель | TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Тип диода | защитный |
Ток утечки | 1мкА |
Масса брутто | 0.44 g |
Срок поставки | Уточняйте radioniks.ru@mail.ru |
Контакты