TAIWAN SEMICONDUCTOR US1J R2 Диод: импульсный; SMD; 600В; 1А; 75нс; Упаковка: бобина, лента; SMA
| Вид упаковки |
бобина
лента |
| Время готовности | 75нс |
| Емкость | 10пФ |
| Импульсный ток | 30А |
| Конструкция диода | одиночный диод |
| Корпус | SMA |
| Монтаж | SMD |
| Обозначение производителя | US1J R2 |
| Обратное напряжение макс. | 600В |
| Падение напряжения при If | 1.7В |
| Производитель | TAIWAN SEMICONDUCTOR |
| Прямой ток | 1А |
| Тип диода | импульсный |
| Характеристики полупроводниковых элементов | сверхбыстрый диод |
| Масса брутто | 0.04 g |
| Срок поставки | Уточняйте radioniks.ru@mail.ru |
Контакты