NEXPERIA BAS32L Диод: импульсный; SMD; 100В; 200мА; 4нс; Упаковка: бобина, лента

Вид упаковки бобина
лента
Время готовности 4нс
Конструкция диода одиночный диод
Корпус MiniMELF
Монтаж SMD
Обозначение производителя BAS32L
Обратное напряжение макс. 100В
Производитель NEXPERIA
Прямой ток 200мА
Тип диода импульсный
Характеристики полупроводниковых элементов быстрый диод
Масса брутто0.07 g
Срок поставкиУточняйте radioniks.ru@mail.ru
Условия поставки уточняйте: radioniks.ru@mail.ru