TAIWAN SEMICONDUCTOR 1N4448 R0 Диод: импульсный; THT; 100В; 150мА; Упаковка: бобина, лента; DO35
| Вид упаковки |
бобина
лента |
| Время готовности | 4нс |
| Емкость | 4пФ |
| Импульсный ток | 2А |
| Конструкция диода | одиночный диод |
| Корпус | DO35 |
| Монтаж | THT |
| Мощность | 500мВт |
| Обозначение производителя | 1N4448 R0 |
| Обратное напряжение макс. | 100В |
| Падение напряжения при If | 1В |
| Производитель | TAIWAN SEMICONDUCTOR |
| Прямой ток макс. | 450мА |
| Прямой ток | 150мА |
| Тип диода | импульсный |
| Масса брутто | 0.13 g |
| Срок поставки | Уточняйте radioniks.ru@mail.ru |
Контакты